MAX5064AATC 备选型号: MD1210K6-G
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 电源电流
- 输出电流
- 最大电源电流
- 输入类型
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 驱动器数量
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 工作电源电流
- 传播延迟
- 接口IC类型
- 座位高度(最大)
- IC, MOSFET DRIVER, 12TQFN - More Details6 Weeks表面贴装表面贴装12-WQFN Exposed Pad12Half-Bridge-40°C~150°C TJTube2007e3yes活跃1 (Unlimited)12EAR99Matte Tin (Sn)1.95W8V~12.6VQUAD260112V0.8mmMAX5064122A260μA2A3mAInverting, Non-Inverting7ns7 ns65ns 65nsIndependent20.063 μs2AN-Channel MOSFET2A 2AYES0.063 μs125V730μm4mm4mmUnknown无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 12-Pin QFN EP T/R1 Weeks表面贴装表面贴装12-VQFN Exposed Pad12Half-Bridge-20°C~125°C TJTape & Reel (TR)2006e3-活跃1 (Unlimited)12EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-4.5V~13VQUAD260112V0.8mmMD1210-2A550μA2A-Non-Inverting6ns6 ns6ns 6nsIndependent2-2AN-Channel, P-Channel MOSFET2A 2AYES---4mm4mm-无ROHS3 Compliant-21.99923mg4012V550μA7 ns和基于栅极的mosfet驱动器1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MD1210K6-G | Microchip Technology | PMIC - 栅极驱动器 | 12-VQFN Exposed Pad | MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 12-Pin QFN EP T/R | 对比 |




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